Transistor Mosfet IRFZ44N

El Transistor Mosfet IRFZ44N es un componente fundamental de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor), diseñado para la gestión eficiente de altas potencias que los circuitos de control de menor capacidad no podrían manejar. Su robusta construcción y características lo hacen ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta velocidad y modulación por ancho de pulso (PWM), proporcionando un control preciso y fiable.

Características:

• Polaridad: Canal N
• Corriente Continua Máxima (Pin Drain Id): 49 A
• Tensión Drain-Source Vds: 55 V
• Resistencia de Activación Rds(on): 0.0175 ohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
• Disipación de Potencia Pd: 83 W
• Temperatura de Trabajo máxima: 175°C
• Temperatura de Trabajo mínima: -55 °C
• Encapsulado: TO-220 con 3 pines

Aplicaciones recomendadas:

• Control de motores DC
• Fuentes de alimentación conmutadas
• Control de iluminación (Dimmer de luces LED)
• Circuitos de inversión de potencia
• Drivers de relés y solenoides de alta corriente
• Circuitos de protección de carga